光学能隙相关论文
用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能......
利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉......
在本文的工作中,我们用常规的甲烷作为碳源,改变比率Y(CH)=CH/(SiH+CH),发现在相对低的基体温度(180℃)条件下最优辉光放电沉积参......
该文报导采用偏光电反射（ER）法测定N[*+*]-P结Si的间接光学带隙。在1.05-1.90ev入射光子能量范围内，观测到两组ER结构。对ER谱采用Asp......
The ZnO-Al films were prepared by R. F. magnetron sputtering system using a Zn-Al target (with purity of 99.99%). The ob......
在苯并三噻吩分子(BTT)基础上,经Stille反应与2-溴-3-十二烷基噻吩进行偶联,合成了新型苯并三噻吩衍生物BTT-T,产率56.8%,其结构和......
采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜，并研究了Ni掺杂对CusN的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现：Ni......
本文从应用出发,选择光学石英为衬底,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1-x薄膜,对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子......
在O2/Ar混合气氛中,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2O5薄膜.对所沉积的薄膜进行450 ℃退火.利用X射线衍射、原子力显微镜、分......
采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS（x=0.88）多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0〈x≤0.9,Cd1-xZnxS......
在铟锡氧化物导电玻璃基底上，采用二氰二胺(C2N4H4)的乙腈饱和溶液电化学沉积高氮含量的CNx薄膜。X射线光电子能谱(XPS)分析表明，薄......
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟（ITO）前驱物浆料，通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄......
利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜。结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积......
在类金刚石薄膜（DLC）光学特性的研究方面，主要工作集中在红外区光学特性，在可见区和紫外区光学特性研究方面存在空白；鉴于此详细研究了......
